Le principe de nombreux dispositifs de caractérisation est de faire interagir les électrons avec les substances qui doivent être détectées, d'exciter les électrons secondaires, ou d'effectuer des transitions et des retours en arrière au niveau atomique, et de libérer une énergie caractéristique.
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Alors que la demande de batteries au lithium continue de croître, leurs normes de production et de sécurité doivent être améliorées de toute urgence. Des systèmes d’inspection 3D à haute résolution et à haut débit sont donc essentiels.
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XRD peut mesurer des échantillons en vrac et en poudre et a des exigences différentes pour différentes tailles et propriétés d'échantillon.
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En août 2023, sous la direction de l'entreprise, la grande famille de Dandong Tongda Technology Co., Ltd. dans la province du Liaoning a organisé un dîner en plein air à la veille de la fin du mois.
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Le diffractomètre à rayons X (DRX) mondial s’est développé régulièrement ces dernières années et la Chine est un marché offrant de grandes perspectives de développement.
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Prenant comme exemple la mise à l'échelle des dépôts, cet article présente comment utiliser le diffractomètre à rayons X pour l'analyse qualitative et quantitative.
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L’application de nouvelles technologies et de nouveaux produits tels que la 5G, le big data et l’intelligence artificielle entraînera une énorme demande sur le marché des semi-conducteurs, et les dépenses mondiales en équipements semi-conducteurs sont entrées dans un cycle ascendant.
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La précédente introduction détaillée et complète du service de pré-vente, de vente et après-vente de l'entreprise, présentée aujourd'hui, est le contenu lié à la formation sur les produits de notre entreprise.
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Ces dernières années, la mesure d’échantillons biologiques à haute pression a suscité un intérêt croissant. Cela se traduit par le développement de nouvelles techniques de mesure de pression différentes de celles mises en œuvre par DAC. L’une d’elles est la technique de congélation des cristaux sous pression.
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La XRD haute résolution (HR-XRD) est une méthode courante pour mesurer la composition et l'épaisseur de semi-conducteurs composés tels que SiGe, AlGaAs, InGaAs, etc.
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